Руй Янг (Rui Yang), Кэзуя Терэйб (Kazuya Terabe) і їх колеги з Національного інституту матеріалознавства (National Institute for Materials Science, NIMS), японського Міжнародного центру наноматеріалів (International Center for Materials Nanoarchitectonics, MANA) та інституту
Детальніше...
Експериментальна структура нового германієвого транзистора, виготовленого з поширених напівпровідникових матеріалів, може стати тим, що дозволить у кілька разів збільшити продуктивність мікропроцесорів
Детальніше...
Останнім часом все частіше і частіше проскакують повідомлення про створення того чи іншого виду гнучких електронних схем і пристроїв. Але все, що було створено в цьому напрямку до цього моменту дуже важко віднести до
Детальніше...
Абсолютно новий тип транзистора, структура якого заснована на використанні графена, дозволяє електронам переміщатися одночасно двома способами, проходячи через потенційний бар'єр і "перестрибуючи" через нього за
Детальніше...
Представники тайванської компанії Macronix оголосили про те, що їх інженери знайшли рішення проблеми, пов'язаної з головним недоліком флеш-пам'яті, з відносно малим і обмеженою кількістю процедур стирання-запису
Дослідники з Університету штату Орегон (Oregon State University, OSU) оголосили про те, що їм вдалося розробити технологію виготовлення мемристоров з нового, легкодоступного і недорого матеріалу. Цим матеріалом є окис цинку-олова,
Детальніше...
Вчені розробили і створили досвідчені зразки електронних схем, які можуть розчинитися, розпастися і зникнути точно у визначений час, через кілька хвилин або через кілька років часу, в залежності від стану виконуваної
Детальніше...
Та ж сама технологія, яка використовується для того, що б зробити об'єкти невидимими в діапазоні видимого світла, може бути використана для приховування від всюдисущих електронів деяких частин електронних
Детальніше...