Створено новий метод виробництва графенових транзисторів.
Німецькі дослідники знайшли новий спосіб виробництва монолітних графенових транзисторів. У цьому способі використовується підкладка з карбіду кремнію, на поверхні якої з допомогою методу звичайної літографії отримують найтоншу графенових плівку певної форми. Новий метод виробництва транзисторів може призвести до появи комп'ютерних чіпів і процесорів, заснованих не на кремнієвих, а на графенових напівпровідникових приладах.
Розроблена технологія виробництва графенових транзисторів має дуже велике значення для електронної промисловості, адже ні для кого не є секретом, що вчені вже впритул наблизилися до меж, в яких фізичні обмеження стануть причиною зупинки подальшого розвитку кремнієвих напівпровідникових приладів. Розробка графенових транзисторів зовсім не означає, що графенові чіпи стануть менше, але використання графену, що володіє деякими унікальними електричними характеристиками, похзволит робити більш швидкі чіпи і чіпи, які будуть споживати менше енергії в порівнянні з кремнієвими побратимами.
Постійні читачі нашого сайту напевно знають, що вчені пророкують графену блискуче майбутнє в області електроніки, "графен візьме штурмом весь електронний світ за наступні кілька років", - вважають ці вчені. Але основна проблема, що гальмує нині розвиток графенової електроніки, полягає в тому, що люди ще не навчилися досить точно маніпулювати найтоншим у світі матеріалом, поєднуючи його з іншими металами, виступаючими в якості електричних провідників. Іншою проблемою є те, що графен спочатку не є напівпровідниковим матеріалом, він набуває напівпровідникові властивості, тобто пропускає електричний струм в одному напрямку і не пропускає в іншому, тільки при дотриманні деяких умов.
Дослідження, проведені групою німецьких вчених за сприяння вчених з Швеції, ґрунтуються на результатах попередніх досліджень. Раніше вченим вдалося з'ясувати, що якщо поверхня подолжки з карбіду кремнію підвернути впливу високої температури і деяких інших факторів, то атоми кремнію переміщуються вниз, а на поверхні залишаються лише атоми вуглецю. При дотриманні деяких умов ці атоми утворюють кристалічну решітку, яка має товщину в один атом, тобто графен, і цей графен залишається прикріпленим до кремниевому шару на поверхні підкладки, який виступає в якості напівпровідника. Що б створити транзистор з отриманого "бутерброда", дослідники використовували промінь з високоенергетичних іонів, яким вирізалися всі частини майбутнього транзистора, а саме, затвор, стік і джерело. І в результаті у вчених вийшов повністю функціональний графеновий транзистор.
Створюючи з використанням нової технології перші зразки графенових транзисторів вчені приділяли дуже мало уваги електричних характеристик і розмірів транзисторів. Найближчим часом вони постараються це виправити, в наступних експериментах вчені будуть намагатися створювати графенові транзистори все менших і менших розмірів і визначати наскільки розміри транзистора впливають на його електричні і швидкісні характеристики.