"Графеновий бігмак" стає великим кроком на шляху створення комп'ютерних чіпів наступного покоління.
У 2004 році була двовимірна плівка з атомів вуглецю, відома як графен. Завдяки його унікальним фізичним, хімічним і електричним властивостям вчені пророкують цього матеріалу велике майбутнє в області матеріалознавства, в області створення гнучких прозорих дисплеїв, більш ємних акумуляторних батарей і більш швидких малогабаритних електронних пристроїв. Тепер, дослідники з Манчестерського університету зробили наступний крок, крок до заміни кремнію графеном в чіпах комп'ютерних мікросхем. Вони створили структуру, що складається з шарів графену і другого двошарового матеріалу, нітриду бору, назвавши її "графеновым бігмаком".
Дослідники використовували шари нітрату бору не тільки, що б розділити два шару графену. За допомогою цього вони вивчили те, як веде себе графен, повністю ізольований від навколишнього середовища в "капсулі" з іншої речовини. Адже в таких умовах буде знаходитися графен всередині чіпів в майбутньому.
"Створення багатошарової структури дозволило нам ізолювати графен від негативного впливу навколишнього середовища і управляти електронні властивості графену з допомогою методів, реалізація яких була неможлива в звичайних умовах", - розповідає доктор Леонід Пономаренко. - "Ми ніколи не бачили графен, який виступає в ролі електричного ізолятора, якщо він тільки не був спеціально оброблений. У нашому випадку високоякісна графенову плівка стає ідеальним ізолятором вперше"
"Графен, укладений в капсулу з нітриду бору та ізольований від навколишнього середовища являє собою найкращу і найдосконалішу платформу для майбутньої графенової електроніки завдяки тому, що в даному випадку в силу вступають нові, раніше невідомі нам закони фізики", - додав професор Андрій Гейм, який разом з професором Костянтином Новоселовим був нагороджений Нобелівською премією в галузі фізики у минулому році за відкриття графену в 2004 році.
"Ізоляція графена від навколишнього середовища вирішує кілька важких проблем, пов'язаних зі стабільністю властивостей цього матеріалу, які раніше нависали подібно грозовим хмар над дорогою графнеа в майбутнє електроніки. Нам вдалося реалізувати в маленькому масштабі, але все вказує на те, що це може бути зроблено і в більшому масштабі", - розповідає Андрій Гейм. - "Створення транзисторів на основі ізольованого графену, що мають кращі характеристики, ніж досягнуті нині, є питанням кількох місяців".
Документ, що описує досягнення, зроблене групою вчених, опублікований в журналі Nature Physics під назвою "Tunable metal-insulator transition in double-layer graphene heterostructures".