Створено найменший транзистор з арсеніду галію
Дослідники з Массачусетського технологічного інституту повідомили про те, що їм вдалося виготовити найменший на сьогоднішній день MOSFET-транзистор, зроблений з арсеніду галію-індія, який має розмір всього у 22 нанометра. Дослідники сподіваються, що такі транзистори, коли вони увійдуть в масове застосування, можуть забезпечити істинність закону Гордона Мура ще на досить тривалий час.
"Ми продемонстрували, що будь-виробник напівпровідникових приладів може випускати чіпи на основі MOSFET-транзисторів з арсеніду галію індію, який володіє чудовими швидкісними характеристиками роботи в цифрових логічних схемах. Це повинно забезпечити істинність закону Гордона Мура ще досить довгий час після того, як можливості кремнієвої електроніки в цьому напрямку будуть вичерпані", - розповів Джесус дель Аламо (Jesus del Alamo), професор електротехніки та інформатики, який очолював групу, яка розробила і виготовила новий транзистор, на Міжнародній конференції з електронних приладів (IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM), що проходила нещодавно в Сан-Франциско.
Міжнародна організація International Technology Roadmap for Semiconductors вже досить давно визначила напрям використання MOSFET-транзисторів з арсеніду галію індію, як одне з найбільш перспективних напрямків розвитку електроніки. Але у деяких фахівців виникають сумніви в тому, що транзистори, розроблені в Массачусетському технологічному інституті будуть оптимальним рішенням з точки зору технологічності їх виробництва.
Дослідники з ЭмАйТи використовували процес электроннолоучевой літографії для того, що б точно зробити всі елементи крихітного транзистора, а відомо, що використання такого підходу не прийнятно при промисловому виробництві. Всі чіпи, що виготовляються на сьогоднішній день, виробляються з допомогою технології ультрафіолетовій літографії і протягом наступного десятиліття можна очікувати тільки перемикання технологій літографії з більш короткохвильову частину ультрафіолетового світла.
Крім всього вищесказаного новий транзистор був виготовлений на підкладці з фосфіду індію, який є більш крихким і менш міцним матеріалом, ніж кремній, використовуваний в даний час. Таким чином, поки вчені не придумають, як виготовляти MOSFET-транзистори на 300-міліметрових кремнієвих пластинах, не варто і думати про практичне застосування таких транзисторів, незважаючи на їх чудові якості та чудові характеристики.
Незважаючи на все це, нанотранзистор, розроблений дослідниками Массачусетського технологічного інституту, є великим кроком вперед. Але для того, що б зробити величезний якісний прорив в області електроніки потрібно зробити ще багато подібних кроків.