Створений перший кремнієвий оптичний транзистор, здатний працювати на частоті до 10 ГГц.
Група дослідників з університету Пурду (Purdue University), розробивши кремнієвий оптичний транзистор, який здатний передавати логічні сигнали на частотах до 10 ГГц, зробила великий крок вперед на шляху реалізації високоефективних оптико-квантових обчислень. Створений транзистор є оптичним вимикачем, який може забезпечити передачу фотонів і посилення потоку світла, потужності якого буде достатньо для управління іншими двома транзисторами. Створене пристрій досить компактно і сумісно з технологією CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor), що дозволить вбудовувати такі транзистори прямо на кристали гібридних оптоелектронних мікросхем і мікропроцесорів.
Основою нового оптичного транзистора є кільцевої микрорезонатор, розташований між двох оптичних ліній через одну з яких передається сигнал. Друга оптична лінія є керівною лінією, яка активує микрорезонатор, нагріваючи його до високої температури. Микрорезонатор починає коливатися на частоті власного резонансу і взаємодіяти з фотонами світла, що проходить через "сигнальну" оптичну лінію. В одному випадку, у разі активного резонатора, потік світла через лінію передається без спотворень, а в зворотному випадку потік пригнічується за рахунок особливої форми і структури оптичної лінії. І хоча новий транзистор заснований на явищі резонансу він володіє досить широкою смугою пропускання, достатньою для передачі даних на тактовій частоті 10 ГГц і, можливо, навіть ще вище.
Пристрій створений на підкладці, виготовленої за технологією SOI (On Silicon Insulator), товщина оксидного шару становить близько 3 мкм, а товщина кремнієвого шару - близько 250 нм. Кільце микрорезонатора встановлено таким чином, що за рахунок асиметричного оптичного "зчеплення" можливо управління більш сильним потоком світла з допомогою більш слабкого світлового потоку. А за рахунок використання структур, що виконують функції режекторного фільтра, була отримана висока чіткість спрацьовування транзистора, що забезпечує його високі частотні характеристики і робить цей транзистор вельми перспективним пристроєм для майбутніх пристроїв оптичної обробки інформації.