FeTRAM - новий тип енергонезалежної пам'яті, швидкого і економічною.

Дослідники з університету Пурду розробили абсолютно новий тип комп'ютерної енергонезалежної пам'яті, яка по швидкодії близька до пам'яті, яка використовується в сучасних комп'ютерах, і яка споживає набагато менше енергії, ніж пристрої на базі флеш-пам'яті. Технологія пам'яті FeTRAM заснована на комбінації кремнієвих нанопровідників з сегнетоэлектрическим полімерним матеріалом, який змінює свою поляризацію при додатку електричного поля відповідної полярності. Поляризація матеріалу може бути без праці прочитана як 1 і 0, що дозволяє зберігання інформації у двійковому вигляді.

Нова технологія FeTRAM (Ferroelectric Transistor Random Access Memory) дещо подібна до технології FeRAM (Ferroelectric Random Access Memories), технології, яка зараз використовується в деяких запам'ятовуючих пристроях. Однак, у новій технології використовується сегнетоэлектрический транзистор замість конденсатора, що означає, що інформація з комірки може бути прочитана без руйнування самої інформації.

Досвідчені зразки комірок пам'яті FeTRAM, виготовлені в лабораторних умовах, споживають значну кількість енергії. Вчені пояснюють це тим, що структура комірок ще не оптимізована, а самі осередки були виготовлені буквально "на колінах". Але, згідно з проведеними розрахунками, пам'ять FeTRAM буде споживати тільки один відсоток від кількості енергії, споживаної сучасної флеш-пам'яттю. Але по швидкодії, завдяки своїй організації, пам'ять FeTRAM буде наближатися до пам'яті SRAM, що використовується сьогодні у всіх комп'ютерах. Тому нова пам'ять має непоганий шанс стати заміною звичайних типів сучасної пам'яті.

Виробництво пам'яті FeTRAM може бути легко організовано із застосуванням сучасних промислових технологічних процесів виробництва напівпровідників (complementary metal oxide semiconductors, CMOS), які повсюдно використовуються для виробництва комп'ютерних чіпів.

В даний час вчені, які розробили пам'ять FeTRAM, подали патентну заявку на цей винахід.