Флагмани кінця цього року отримають 4 ГБ оперативної пам'яті

Не далі як у кінці квітня компанія Samsung випустила прес-реліз, в якому оголосила про початок виробництва LPDDR3 чіпів оперативної пам'яті, виконаних з 20-нм техпроцесу. Незважаючи на те, що така ОЗП дійсно швидше і споживає менше енергії, обсяг пам'яті на одному чіпі залишився колишнім - 0,5 ГБ (гігабайт). При можливості сучасних комунікаторів, виробники комбінують максимум 4 таких чіпа на системній платі пристрою, що дає обсяг ОЗУ 2 ГБ, але ви ж не думали, що таке становище збережеться надовго?

Компанія SK Hynix офіційно оголосила про те, що збирається випустити такі ж LPDDR3 чіпи на 20-нм техпроцесі, але об'ємом 8 Гб або, у більш звичних нам одиницях виміру 1 ГБ. Неважко підрахувати, що при використанні 4 таких модулів на одній платі, можна досягти обсягу пам'яті до 4 ГБ. І це дійсно так: виробник обіцяє, що перші топові смартфони з 4 ГБ оперативної пам'яті з'являться вже в кінці цього року.

Нові чіпи будуть здатні передавати дані на швидкості 2133 мегабіт в секунду на один контакт, що в цілому дозволяє передати за 1 секунду 7,5 гігабайт в одноканальному режимі і 17 гігабайт в двоканальному. При цьому працює ОЗП на наднизький напрузі - 1,2 вольта, так що побоюватися за час автономної роботи точно не варто.

І все ж, цікаво, як скоро ми побачимо смартфони з 8 ГБ оперативної пам'яті? А в тому, що, рано чи пізно, так і ми впевнені майже повністю, адже нарощування гігагерц і гігабайт - лише питання часу.

Джерело: engadget.com