Samsung почала виробництво чіпів DRAM на 4 Гб

Сьогодні компанія Samsung випустила офіційний прес-реліз, в якому оголосила про початок виробництва нових чіпів DRAM (оперативної пам'яті) для мобільних пристроїв об'ємом 4 гігабіта (0,5 гігабайти). Як і зазвичай, подібні розробки спрямовані на збільшення продуктивності пристроїв і швидкості їх роботи.

Нові чіпи оперативна пам'ять типу LPDDR3 виробляються по 20-нанометровому техпроцесу, що, за обіцянками Samsung, зробить їх швидше і енергоефективніше, ніж попередні покоління. Так, максимальна швидкість обміну інформацією досягне 2133 мегабіт в секунду на контакт, в той час як в LPDDR2 чіпах максимум складає всього 800 мегабіт в секунду. Така швидкість робить можливою передачу трьох FullHD відео загальним обсягом 17 ГБ всього за одну секунду. У той же час, завдяки новим техпроцесом, енергоспоживання має зменшитися на 20%.

Використовуючи чотири нових чіпа Samsung виробники зможуть встановлювати на свої топові смартфони 2 ГБ оперативної пам'яті, причому, загальна товщина мікросхем складе всього 0,8 міліметрів. Поки південнокорейська компанія не ділиться планами про те, в яких власних пристроях буде використовувати нову оперативну пам'ять, але, враховуючи попередні чутки, можна припустити, що Samsung вирішить скомбінувати шість таких чіпів в Galaxy Note III, який може отримати 3 ГБ ОЗУ. Якщо це дійсно так, то перші пристрої, в яких можна буде знайти останню розробку компанії, з'являться вже восени - ми багато чого чекаємо від виставки IFA 2013 в Берліні.