Samsung починає масове виробництво чіпів мобільного пам'яті DDR3 об'ємом 4 Гбіт

Компанія Samsung оголосила про початок масового виробництва новітніх 4-гігабітних чіпів пам'яті DDR3 20-нм техпроцесу. Випуск DRAM-пам'яті, кожна клітинка якої складається з пов'язаних транзистора і конденсатора, набагато складніше виробництва флеш-пам'яті типу NAND з одним транзистором, тому традиційно обсяги DRAM-чіпів помітно поступаються обсягам чіпів флеш-пам'яті. Щоб справитися з цим завданням, Samsung використовує новітні технології подвійного шаблону і атомно-шарового осадження. Це не тільки дозволило компанії випускати чіпи пам'яті DDR3 20-нм техпроцесу, використовуючи існуючу иммерсионное Арфа-літографію (літографія з використанням ексимерних лазерів на фториде аргону, що працюють в діапазоні жорсткого ультрафіолету), але і зробить можливим виробництво наступного покоління DRAM по техпроцесу класу 10 нм в майбутньому. Крім того, Samsung домоглася безпрецедентною однорідності нанесення надтонких діелектричних плівок конденсаторів, що додатково поліпшило ефективність пам'яті.

Одночасно Samsung підвищила ефективність виробництва: для нових чіпів вона на 30% вище, ніж для DDR3 по 25-нм техпроцесу, і вдвічі більше порівняно з DDR3 30-нм техпроцесу. Показники енергоефективності чіпів на 25% випереджають характеристики мобільного пам'яті, виготовленій по 25-нм техпроцесу.

Згідно з дослідженням компанії Gartner, світовий ринок мобільного пам'яті збільшиться з 35,6 мільярдів доларів в 2013 році до 37,9 мільярдів доларів у 2014 році.