Menu

Новий чіп від Samsung дозволить встановити в смартфони до 4 ГБ ОЗП

Новый чип от Samsung позволит установить в смартфоны до 4 ГБ ОЗУ

У цей понеділок в Кореї компанія Samsung оголосила про те, що розробила перший 8 Гб мобільний чіп пам'яті LPDDR4 з низьким енергоспоживанням і подвоєною швидкістю передачі даних. Чіп побудований на 20-нм процесі і дозволяє встановити до 1 ГБ пам'яті на одному кристалі, маючи найбільшу щільність на компоненті DRAM. Samsung каже, що таке рішення забезпечує високий рівень продуктивності з низьким споживанням енергії. Чотири 8 Гб чіпа об'єднані в єдиний пакет LPDDR4, що дозволить робити смартфони або інші пристрої з 4 ГБ оперативної пам'яті.

Мобільний 8 Гб LPDDR4 чіп дозволить швидше працювати з додатками, забезпечить хорошу роботу екранів з високою роздільною здатністю, збільшить час роботи пристроїв і дозволить виконувати на мобільному пристрої більш складні завдання. Завдяки новому низьковольтного LVSTL-інтерфейсу введення/виводу, забезпечується швидкість передачі даних до 3 200 Мб/с. Це в два більше, ніж у 20-нм LPDDR3 чіпах, які зараз використовуються найчастіше. Новий чіп забезпечує на 50% більш високу продуктивність, ніж найшвидший чіп пам'яті DDR3 і використовує на 40% менше енергії.

Новий LPDDR4 чіп буде використовуватися в пристроях high-end класу і буде масово вироблятися в 2014 році.

Також можна подивитися, як компанія Samsung розвивала мобільні чіпи оперативної пам'яті за останні роки:

  • 2009: 256 МБ (50-нм 1 Гб MDDR, 400 Мб/с);
  • 2010: 512 МБ (40-нм 2 Гб MDDR, 400 Мб/с);
  • 2011: 1 ГБ/2 ГБ (30-нм 4 Гб пам'яті LPDDR2, 1066 Мб/с);
  • Серпня 2012: 2 ГБ (30-нм 4 Гб LPDDR3, 1600 Мб/с);
  • Квітень 2013: 2 ГБ (20 нано 4 Гб LPDDR3 , 2133 Мб/с);
  • Липень 2013: 3 ГБ (20-нм 4 Гб LPDDR3, 2133 Мб/с);
  • Листопад 2013: 3 ГБ (20-нм 6 Гб LPDDR3, 2133 Мб/с);
  • Перша половина 2014: 4 ГБ (20-нм 8 Гб LPDDR4, 3200 Мб/с).



 

|