Samsung розробила ефективний чіп пам'яті для мобільних пристроїв нового покоління

Компанія Samsung повідомила, що вона першою в галузі створила мобільний чіп пам'яті LPDDR4 DRAM, що володіє ємністю 8 Гбіт. Це рішення відрізняється високими показниками щільності, продуктивності та енергоефективності.

Новий чіп пам'яті Samsung LPDDR4 (low power double data rate 4) DRAM виготовляється за нормами технологічного процесу 20-нанометрового класу. Ємність 8 Гбіт (або 1 Гбайт) є рекордом для пристроїв цього сегмента. Завдяки об'єднанню чотирьох таких чіпів можна створити модуль пам'яті для мобільних пристроїв ємністю 4 Гбайта.

Крім ємності новинка має ряд інших переваг у порівнянні з сучасними рішеннями. Відзначимо, зараз в мобільних пристроях масово застосовуються чіпи пам'яті LPDDR3. Однак інтерфейс LPDDR4 дозволяє досягти приросту продуктивності на рівні 50%. У той же час інтерфейс вводу-виводу LVSTL в новинці забезпечує швидкість передачі даних для кожного контакту на рівні 3200 Мбіт/с. Це в 2 рази більше, ніж для сучасних масових продуктів LPDDR3 DRAM, що виготовляються за нормами технологічного процесу 20-нанометрового класу. Крім того, новий чіп пам'яті споживає приблизно на 40% менше енергії при напрузі живлення 1,1 В.

Компанія Samsung має намір вивести на ринок чіпи пам'яті LPDDR4 DRAM ємністю 8 Гбіт в 2014 році. Вони будуть використовуватися в мобільних пристроях нового покоління (смартфонах, планшетах, ноутбуках), оснащених великими дисплеями з UHD роздільною здатністю. Висока ймовірність того, що ці чіпи пам'яті незабаром з'являться і в продуктах Apple. [Samsung Tomorrow]