Компанія Samsung розпочинає виробництво 3D Vertical NAND Flash-пам'яті, що вміщає терабіт даних на одному кристалі
Знавцям в області Flash-накопичувачів і SSD-дисків добре відомі такі терміни, як SLC, MLC і TLC, які є скороченнями від використовуваних технологій Flash-пам'яті. Тепер, завдяки старанням компанії Samsung, цей перелік доповнився ще двома абревіатурами, V-NAND і CTF, які мають безпосереднє відношення до нових мікросхем "3D Vertical NAND" пам'яті, масове виробництво яких було розпочато зовсім нещодавно на виробничих потужностях компанії. Слід зауважити, що, створюючи нову V-NAND Flash-пам'ять, фахівці компанії Samsung намагалися не тільки збільшити обсяги та інші показники нових мікросхем, їх основною метою був акуратний обхід більшості проблем і обмежень, з якими стикаються всі розробники Flash-пам'яті останнім часом.
Чіпи нових мікросхем V-NAND, що виготовляються за технологією 10 нм, а щільність зберігання інформації починається зі значення 128 Гб на чіп. Чіп має структуру, в якій один над одним можуть перебувати до 24 окремих шарів, що містять матриці з осередків Флеш-пам'яті. Така інноваційна структура дозволила компанії Samsung збільшувати показник щільності запису і зберігання інформації без необхідності збільшувати площу кристала чіпа в цілому.
Другий термін, CTF, розшифровується як "Charge Trap Flash", і це є головною особливістю нового типу Flash-пам'яті. Звичайна NAND Flash-пам'ять зберігає інформацію у вигляді електричного заряду плаваючого затвора транзистора комірки пам'яті. Наявність заряду на затворі і його відсутність відповідають логічним 0 або 1, записаним в дану комірку пам'яті. Однак, нова V-пам'ять NAND компанії Samsung обходиться без використання плаваючого затвора. У технології CTF електричний заряд, що визначає записану в комірці інформацію, поміщається в спеціальну область утримання заряду (holding chamber), яка виготовлена з непровідного нітриду кремнію (SiN), що дозволяє уникнути впливу на клітинку зарядів розташованих поруч осередків і обійти ще кілька обмежень.
Ці обмеження мають відношення до довговічності, надійності комірок пам'яті з плаваючими затворами і до кількості енергії, потрібної для стирання і перезапису інформації в комірці. Не вдаючись у глибини фізичного процесу можна сказати, що кожен раз, коли потрібно оновити інформацію в комірці пам'яті, в області затвора транзистора завжди залишаються зайві електрони, спіймані в пастку і залишаються там назавжди. Через якусь кількість циклів стирання-запису кількість цих електронів збільшується настільки, що інформація, записана в комірці, вже не може бути достовірно прочитана. І ця проблема стає все гостріше і гостріше по мірі того, як дослідники намагаються зменшити розміри однієї комірки пам'яті NAND.
Перехід від транзисторів з плаваючим затвором до технології Charge Trap Flash дозволяє уникнути практично всіх вищевикладених проблем. Завдяки цьому чіпи V-пам'яті NAND мають у два рази більший термін служби, у десять разів більший ресурс за кількістю циклів перезапису і в два рази більшу швидкість роботи, ніж чіпи звичайною NAND пам'яті.
Фахівці компанії Samsung прогнозують, що використання нових чіпів V-пам'яті NAND в SSD-дисках дозволить знизити вартість 1 гігабайта до рівня 2.5 доларів і дозволить SSD-дисків переступлять планку обсягу в 1 терабайт. На жаль, поки ще невідомо, коли стануть доступні SSD-диски споживчого рівня, заповнені мікросхемами V-пам'яті NAND. Але перші SSD-диски великого об'єму з мікросхемами V-NAND пам'яті і зі спеціалізованим контролером виробництва Samsung, призначені для дорогих обчислювальних систем і датацентрів, з'являться вже найближчим часом.
Компания Mattoni предлагает купить сантехнику в одессе от ведущих производителей данной отрасли, широкий ассортимент, гибкая система скидок.